Ang Intel, 3d xpoint memory ng micron ay maaaring magbago ng pc, disenyo ng server

Kahapon ay inihayag ng Intel at Micron ang memorya ng 3D XPoint, isang di-pabagu-bago na memorya na sinabi nila na maaaring maghatid ng 1, 000 beses ang bilis ng NAND flash at 10 beses ang density ng tradisyonal na memorya ng DRAM.

Kung maihatid ng mga kumpanya ang memorya na ito sa makatuwirang dami sa isang makatuwirang presyo sa susunod na taon, tulad ng ipinangako nila, maaari itong talagang magbago ng maraming paraan sa paggawa natin ng computing.

Ang bagong memorya - binibigkas na 3D crosspoint - na inihayag ni Mark Durcan, CEO ng Micron Technology, at Rob Crooke, senior vice president at pangkalahatang tagapamahala ng Non-Volatile Memory Solutions Group ng Intel. Ipinaliwanag nila na ang 3D XPoint ay gumagamit ng mga bagong materyales na nagbabago ng mga katangian, pati na rin ang isang bagong arkitekturang crosspoint na gumagamit ng manipis na mga hilera ng metal upang lumikha ng isang pattern na "pinto ng pinto" na nagbibigay-daan sa aparato na direktang ma-access ang bawat cell ng memorya, na dapat gawin itong magkano mas mabilis kaysa sa flash ng NAND ngayon. (Ang mga magkakaugnay na metal na ginamit upang matugunan ang mga cell ng memorya ay madalas na tinutukoy bilang mga wordlines at bitlines, kahit na ang mga term ay hindi ginagamit sa anunsyo.)

Ang mga paunang memorya ng memorya, na malapit nang sa 2016, ay isinalin sa pinagsamang pakikipagsapalaran ng kumpanya sa Lehi, Utah, sa isang proseso ng dual-layer na nagreresulta sa isang 128GB chip - tungkol sa pantay na kapasidad sa pinakabagong NAND flash chips. Kahapon, ipinakita ng dalawang executive ang isang wafer ng mga bagong chips.

Tinawag ni Crooke ang 3D XPoint memory bilang isang "pangunahing tagapagpalit ng laro, " at sinabi na ito ang unang bagong uri ng memorya na ipinakilala mula noong NAND flash noong 1989. (Na debatable - isang iba't ibang mga kumpanya ang nagpahayag ng mga bagong uri ng memorya, kabilang ang iba pang phase-pagbabago o resistive na alaala - ngunit walang nagpadala ng mga ito sa malalaking kapasidad o dami.) "Ito ay isang bagay na naisip ng maraming tao na imposible, " aniya.

Epektibo, tila ito ay magkasya sa isang puwang sa pagitan ng DRAM at NAND flash, na nag-aalok ng bilis na mas malapit sa DRAM (kahit na marahil hindi masyadong mabilis, dahil ang mga kumpanya ay hindi nagbigay ng aktwal na mga numero) kasama ang density at di-pagkasumpungin na mga katangian ng NAND, sa isang presyo sa isang lugar sa pagitan; alalahanin na ang NAND ay mas mura kaysa sa DRAM para sa parehong kapasidad. Maaari mong makita ang kumikilos na ito bilang isang mas mabilis ngunit mas mahal na kapalit para sa flash sa ilang mga aplikasyon; bilang isang mabagal ngunit mas malaking kapalit ng DRAM sa iba; o bilang isa pang tier ng memorya sa pagitan ng DRAM at NAND flash. Hindi rin tinalakay ng kumpanya ang mga produkto - ang bawat isa ay mag-aalok ng kanilang sarili, batay sa parehong mga bahagi na lumalabas sa pabrika. Ngunit ang hula ko ay makikita natin ang isang hanay ng mga produkto na naglalayong iba't ibang merkado.

Sinabi ni Crooke na ang 3D XPoint ay maaaring maging kapaki-pakinabang sa loob ng mga memorya ng mga memorya ng database, dahil maaari itong mag-imbak ng mas maraming data kaysa sa DRAM at hindi pabagu-bago, at tumulong sa mga pag-andar tulad ng mas mabilis na pagsisimula ng makina at pagbawi. Pinag-uusapan din niya ang tungkol sa pagkonekta sa gayong mga chips sa isang mas malaking system gamit ang mga pagtutukoy ng NVM Express (NVMe) sa mga koneksyon sa PCIe.

Pinag-uusapan ng Durcan ang tungkol sa mga aplikasyon tulad ng paglalaro, kung saan nabanggit niya ang bilang ng mga laro ngayon na nagpapakita ng isang video habang naglo-load ng data para sa susunod na eksena, isang bagay na maaaring mapawi ng memorya na ito. Nabanggit din ng Durcan ang mga application tulad ng simulation sa high-performance computing, pattern-pagkilala, at genomics.

(Diagram ng 3D XPoint Memory)

Ang pares ay hindi nagbigay ng maraming impormasyon sa teknikal tungkol sa memorya ng 3D XPoint, maliban sa isang pangunahing diagram at banggitin ang isang bagong cell ng memorya at lumipat. Sa partikular, hindi nila napag-usapan ang mga bagong materyales na kasangkot na higit na kumpirmahin na ang operasyon ay nagsasangkot ng isang pagbabago sa resistivity ng materyal, bagaman sa isang katanungan-at-sagot na sesyon sinabi nila na naiiba ito sa iba pang mga phase pagbabago ng materyal na ipinakilala sa nakaraan. Sinabi ni Crooke na naniniwala siya na ang teknolohiya ay "nasusukat" - maaaring lumago sa density, tila sa pamamagitan ng pagdaragdag ng higit pang mga layer sa chip.

Ang iba pang mga kumpanya ay pinag-uusapan ang mga bagong alaala sa loob ng maraming taon. Ang Numonyx, na orihinal na nabuo ng Intel at ST Microelectronics at kalaunan ay nakuha ni Micron, ay nagpasimula ng memorya ng pagbabago ng 1GB phase noong 2012. Ang iba pang mga kumpanya, kabilang ang IBM at Western Digital's HGST, ay nagpakita ng mga demonstrasyon ng mga sistema batay sa materyal na iyon, kahit na ang Micron ay wala mas mahahandog ito. Matagal nang pinag-uusapan ng HP ang tungkol sa memristor, at ang mga mas bagong start-up tulad ng Crossbar at Everspin Technologies ay nagsalita ng mga bagong hindi pabagu-bago na mga alaala din. Ang iba pang mga malaking kumpanya ng memorya ng lakas ng tunog, tulad ng Samsung, ay nagtatrabaho din sa mga bagong di-pabagu-bagong memorya. Wala pa sa mga kumpanyang ito ang hindi pa nagpapadala ng di-pabagu-bago na memorya na may malalaking mga kapasidad (tulad ng laki ng 128GB na 3D XPoint) sa malaking dami, ngunit siyempre, inanunsyo lamang ng Intel at Micron, hindi ipinadala.

Hindi rin napag-usapan ni Intel o Micron ang tungkol sa mga tukoy na produkto na ipapadala nila, ngunit hindi ako magugulat kung naririnig namin nang higit pa habang papalapit kami sa palabas ng SC15 Supercomputing noong Nobyembre, kung saan inaasahan ang Intel na pormal na ilunsad ang processor ng Knights Landing, dahil mataas ang pagganap ang computing ay tila isang malamang na maagang merkado.

Karamihan sa mga tao sa industriya ng memorya ay matagal nang naniniwala na may silid para sa isang bagay sa pagitan ng DRAM at NAND flash. Kung sa katunayan ang 3D XPoint ay nabubuhay hanggang sa pangako nito, ito ang magiging simula ng isang makabuluhang pagbabago sa arkitektura ng mga server, at sa kalaunan, mga PC.